| 基于CMOS工艺的高Q值集成电感设计 |
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| 引用本文： | 裴晓敏,林艳丽.基于CMOS工艺的高Q值集成电感设计[J].微电子学,2013,43(1):107-110,114. |
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| 作者姓名： | 裴晓敏 林艳丽 |
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| 作者单位： | 1. 襄樊学院物电学院,湖北襄阳,441053
2. 中芯国际集成电路制造有限公司,上海,201203 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅科研计划资助重点项目(D20102026);襄樊学院科研项目资助(2010YA019) |
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| 摘 要： | 采用三维全波电磁场模拟软件HFSS作为分析工具,对八边形差分对称结构电感和单端结构电感进行对比研究,提出利用多层金属并联布线、渐变线宽和图案接地屏蔽(PGS)等结构与差分对称结构集成来提高片上电感性能的设计方案.此方案能与标准硅基CMOS工艺兼容.仿真结果表明,该方案能有效提高集成电感的Q值.
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| 关 键 词： | 集成电感 品质因数 差分对称 渐变线宽 图案接地屏蔽 |
Design of CMOS Integrated Inductor with High Quality Factor |
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| PEI Xiaomin,LIN Yanli.Design of CMOS Integrated Inductor with High Quality Factor[J].Microelectronics,2013,43(1):107-110,114. |
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| Authors: | PEI Xiaomin LIN Yanli |
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| Affiliation: | 1.School of Physics and Electronics,Xiangfan University,Xiangyang,Hubei 441053,P.R.China; 2.Semiconductor Manufacturing International Corp.,Shanghai 201203,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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