| TiO2薄膜的制备及其压敏特性研究 |
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| 引用本文： | 季振国,周丽萍,毛启楠. TiO2薄膜的制备及其压敏特性研究[J]. 半导体技术, 2010, 35(10): 973-975. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.10.006 |
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| 作者姓名： | 季振国 周丽萍 毛启楠 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学,电子信息学院,杭州,310018;浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027;杭州电子科技大学,电子信息学院,杭州,310018;浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省科技计划资助项目 |
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| 摘 要： | 对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究.首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜.XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的TiO2薄膜为金红石结构,当热氧化温度600～800 ℃时呈现(200)择优取向性.I-V测试结果表明,择优取向的TiO2薄膜相对非择优取向的TiO2薄膜具有更高的压敏阈值电压.进一步分析表明,阈值电压与择优取向性的关系起源于薄膜厚度的变化.
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| 关 键 词： | 二氧化钛 薄膜 压敏特性 择优取向 厚度 |
Study on Deposition of TiO2 Thin Films and Its Varistor Characteristics |
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| Ji Zhenguo,Zhou Liping,Mao Qinan. Study on Deposition of TiO2 Thin Films and Its Varistor Characteristics[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(10): 973-975. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.10.006 |
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| Authors: | Ji Zhenguo Zhou Liping Mao Qinan |
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| Affiliation: | Ji Zhenguo1,2,Zhou Liping1,Mao Qi'nan2(1.Institute of Electronic Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China,2.State Key Laboratory for Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TiO2 thin film varistor characteristic preferential orientation thickness |
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