| InGaAsP／InP异质结光电三极管的制备 |
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| 引用本文： | 殷景志 石家纬. InGaAsP／InP异质结光电三极管的制备[J]. 半导体光电, 1994, 15(4): 363-366 |
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| 作者姓名： | 殷景志 石家纬 |
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| 作者单位： | [1]吉林工业大学理科部 [2]吉林大学电子科学系 |
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| 摘 要： | 介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。
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| 关 键 词： | 异质结 光电三极管 光增益 |
Preparation of InGaAs/InP Heterojunction Phototransistor |
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| Yin Jingzhi. Preparation of InGaAs/InP Heterojunction Phototransistor[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1994, 15(4): 363-366 |
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| Authors: | Yin Jingzhi |
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| Affiliation: | Yin Jingzhi(Science Dept. of Jilin Polytechnic University. Changchun 130032)Shi Jiawei; Zhang haoyue(Dept. of Electron Science. Jilin University. Changchun 130023) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Heterojunction Phototransistor Optical Gain |
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