不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征 |
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引用本文: | 吴东旭,郑学军,程宏斌,李佳,罗晓菊.不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征[J].消防技术与产品信息,2015(2):500-502. |
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作者姓名: | 吴东旭 郑学军 程宏斌 李佳 罗晓菊 |
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作者单位: | 上海理工大学机械工程学院;上海理工大学材料科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(51272158);长江学者和创新团队发展计划(IRT-14R48) |
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摘 要: | 采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2O3和Ga N的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的Ga N纳米线,制备的平躺于衬底的Ga N纳米线的直径约为60 nm,长度为10μm到30μm之间。垂直于衬底的Ga N纳米线阵列的直径约为300 nm,长度约为5μm。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征,结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的Ga N单晶纳米线。通过改变催化剂和衬底等生长条件,研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响,为以后的大量制备以及纳米器件的制作提供了依据。
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关 键 词: | GaN纳米线 化学气相沉积 催化剂 衬底 |
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