| 射频MEMS压控电容器 |
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| 引用本文： | 朱健,林立强,林金庭.射频MEMS压控电容器[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):146-148. |
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| 作者姓名： | 朱健 林立强 林金庭 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,210016 |
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| 基金项目： | 国家预研基金项目 (5 14 0 80 3 0 10 1DZ65 0 1)，江苏省自然科学基金项目 (BK2 0 0 1192 )，江苏高技术研究项目 (BG2 0 0 10 2 0 )支持 |
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| 摘 要： | 研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1
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| 关 键 词： | 射频 微机电系统 传输线 压控电容器 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)02-146-03 |
| 修稿时间： | 2001年3月23日 |
RF MEMS Voltage Control Capacitor |
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| ZHU Jian,LIN Liqiang,LIN Jinting.RF MEMS Voltage Control Capacitor[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(2):146-148. |
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| Authors: | ZHU Jian LIN Liqiang LIN Jinting |
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| Abstract: | The design and fabrication of a RF MEMS voltage control capacitor(VCC) is described. Si based MEMS techniques have been used to fabricate a metal membrane capacitor combined transmission line. An electrostatic potential is applied to the membrane and the transmission line ot tune the capacitance. The test results are as follows. The measured Q factor is 300 at 1 GHz for a 0.21 pF capacitor and C max / C min ratio of the VCC is about 4∶1. |
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| Keywords: | RF MEMS transmission line VCC |
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