| 退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究 |
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| 引用本文： | 张喜田,王玉玺.退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究[J].人工晶体学报,1998,27(2):152-155. |
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| 作者姓名： | 张喜田 王玉玺 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 哈尔滨师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.
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| 关 键 词： | 离子注入 光致发光 配位体 稀土元素 半导体材料 磷化铟 |
Study of the Influence of Annealing Temperature on Luminescence Characteristics of the Er3+ Ions in InP Crystal |
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| Zhang Xitian,Wang Yuxi.Study of the Influence of Annealing Temperature on Luminescence Characteristics of the Er3+ Ions in InP Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,1998,27(2):152-155. |
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| Authors: | Zhang Xitian Wang Yuxi |
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