| 退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响 |
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| 引用本文： | 黎建明,屠海令,郑安生.退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响[J].稀有金属,2003,27(6):849-851. |
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| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 郑安生 |
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| 作者单位： | 北京有色金属总院红外材料研究所,北京,100088 |
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| 基金项目： | 863项目资助 ( 715 0 9 0 2 0 3 ) |
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| 摘 要： | LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。
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| 关 键 词： | GaAs 断裂模数 退火 |
| 文章编号： | 0258-7076(2003)06-0849-03 |
| 修稿时间： | 2002年12月4日 |
Effect of Annealing on Modulus of Rupture of GaAs Window Crystals |
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| Li Jianming,Tu Hailing,Zheng Ansheng.Effect of Annealing on Modulus of Rupture of GaAs Window Crystals[J].Chinese Journal of Rare Metals,2003,27(6):849-851. |
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| Authors: | Li Jianming Tu Hailing Zheng Ansheng |
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| Abstract: | The residual stress in as grown LEC GaAs can be released greatly by high temperature annealing, thus high temperature window wafer annealing leads to increasing modulus of rupture of GaAs. After mechanical chemical polishing, the average value of modulus of rupture for as grown GaAs samples is about 135 MPa, and the average value of modulus of rupture for annealed GaAs samples is 150 MPa and the highest value about 163 MPa. |
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| Keywords: | GaAs modulus of rupture annealing |
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