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| 碳纳米管复合阴极的稳定性研究 | |
| 引用本文： | 史永胜,何伟,朱长纯.碳纳米管复合阴极的稳定性研究[J].液晶与显示,2008,23(4). |
| 作者姓名： | 史永胜 何伟 朱长纯 |
| 作者单位： | 1. 陕西科技大学,电气与信息工程学院,陕西,西安,712021;西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,710049 2. 陕西科技大学,电气与信息工程学院,陕西,西安,712021 3. 西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,710049 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，陕西省教育厅资助项目 |
| 摘 要： | 基于隧穿效应的双势垒模型,采用Sol-Gel法在ITO玻璃基底上制备了SiO2涂层碳纳米管阴极,利用SEM对阴极的形貌、结构进行分析,并对场发射性能、发射稳定性与发光特性进行研究,获得了发射电流高,稳定性良好的阴极.测试结果表明: SiO2质量分数为20%时阴极具有比较高的发射电流及较好的场发射稳定性能;阴极开启场为1.71 V/mm,在场强为2 V/mm时,发射电流密度为65 μA/cm2;发射电流在3 h内,波动小于3%.低成本丝网印刷制备的该阴极,适合于不同尺寸器件的冷阴极. |
| 关 键 词： | 碳纳米管 复合阴极 稳定性 |
Stability of Carbon Nanotubes Composite Cathode |
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