Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究 |
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引用本文: | 徐阿妹,朱海军.Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究[J].半导体学报,1997,18(10):725-730. |
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作者姓名: | 徐阿妹 朱海军 |
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作者单位: | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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摘 要: | 本利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术,研究了在Si(001)衬底上,用晶化了的列定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时,引入表面活化剂Sd所产生的影响。研究表明,Sd的引入将全使Si(001)衬底上无定形Ge膜的晶化温度显提高,并在一定的生长条件下,破坏Ge外延层的结晶性。
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关 键 词: | 半导体 砷化镓 硅 MBE异质生长 表面活化剂 |
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