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| 分形晶化的Au／a—Ge双层膜的非线性V—I特征 | |
| 作者姓名： | 陈庶中国 陈志文 |
| 作者单位： | 科学技术大学结构分析开放研究实验室 |
| 摘 要： | 本报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶体现象，并首次测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜分形晶化的Ｖ－Ｉ特性，实验结果表明：分表晶化后的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特征，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）模型对实验结果给予了合理的解释。 |
| 关 键 词： | 金属 半导体薄膜 分形晶化 V－I特性 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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