Zn1—xMnxSe/ZnSe应变超晶格的分子束外延生长及特性研究 |
| |
作者姓名: | 靳彩霞 沈孝良 |
| |
作者单位: | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| |
摘 要: | 用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16,x=0.14)超晶格结构,用X射线衍身 喇曼散射对其结构,应变分布以及光散射性能进行了研究,江超晶格的总厚度大于最度是格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数,此时在(100)平面,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压变应。从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe Zn1-xMnxSe垒
|
关 键 词: | 分子束外生长 化合物半导体 应变超晶格 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|