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| 优化生长的InxGa1—xAs缓冲层上双势垒InyGa1—yAs／AlzGa1—zAs／GaAs… | |
| 引用本文： | 王小军,郑联喜.优化生长的InxGa1—xAs缓冲层上双势垒InyGa1—yAs／AlzGa1—zAs／GaAs…[J].半导体学报,1997,18(2):85-90. |
| 作者姓名： | 王小军 郑联喜 |
| 作者单位： | 国家光电子工艺中心 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 量子阱 砷化镓 MOCVD生长 |
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