| Na+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能 |
| |
| 引用本文： | 李英伟,林春芳,周晓,朱兴文.Na+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能[J].机械工程材料,2007,31(8):15-18,48. |
| |
| 作者姓名： | 李英伟 林春芳 周晓 朱兴文 |
| |
| 作者单位： | 1. 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
2. 上海材料研究所,上海,200437 |
| |
| 摘 要： | 以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L.研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及导电类型,分析了材料的拉曼光谱与试样内部缺陷浓度的关系.结果表明:Na 离子可进入ZnO晶格取代Zn2 ,导致晶胞变大,同时ZnO薄膜由n-型转变为p-型导电;当Na 掺杂浓度达0.045 mol/L时,其电阻率为75.7Ω·cm,空穴浓度2.955×1017 /cm3.
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 Na 掺杂 p-型导电 溶胶-凝胶法 掺杂浓度 薄膜 结构 电学性能 Electrical Properties Structural ZnO Thin Films 空穴浓度 电阻率 导电类型 转变 晶胞尺寸 晶格取代 结果 关系 缺陷浓度 拉曼光谱 材料 分析 载流子浓度 |
| 文章编号： | 1000-3738（2007）08-0015-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-112006-12-29 |
Structural and Electrical Properties of Na+-doped ZnO Thin Films |
| |
| LI Ying-wei,LIN Chun-fang,ZHOU Xiao,ZHU Xing-wen.Structural and Electrical Properties of Na+-doped ZnO Thin Films[J].Materials For Mechanical Engineering,2007,31(8):15-18,48. |
| |
| Authors: | LI Ying-wei LIN Chun-fang ZHOU Xiao ZHU Xing-wen |
| |
| Affiliation: | 1. Shanghai University, Shanghai 200072, China; 2. Shanghai Institute of Materials, Shanghai 200437, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
