| α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长 |
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| 引用本文： | 康朝阳,刘忠良,唐军,陈香存,徐彭寿,潘国强.α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长[J].人工晶体学报,2010,39(2):308-312. |
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| 作者姓名： | 康朝阳 刘忠良 唐军 陈香存 徐彭寿 潘国强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北,235000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，安徽省高等学校省级自然科学研究项目 |
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| 摘 要： | 采用固源分子束外延(SSMBE)技术,在α-Al2O3(0001)衬底上直接制备出了SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、Raman光谱、X射线扫描、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)等实验技术,对生长的样品的结构和结晶质量进行了表征.结果表明:在蓝宝石衬底上生长出了结晶性能良好的6H-SiC薄膜,且薄膜中存在较小的压应力,这种压应力是由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异所致.
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| 关 键 词： | SiC薄膜 蓝宝石衬底 固源分子束外延 |
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