| 摘 要： | 相控聚焦阵列因具有声场控制准确、高速、灵活等显著优点,因而越来越多地被现代超声热疗和手术系统所采用。但要达到较高的焦点声强,用增加阵元数目的方式,会因相应控制电路的体积庞大、结构复杂而无法实现。而降低副瓣的能量消耗,则是用尽可能少的阵元和尽可能简单的控制电路来获得高强度的焦点。副瓣,是指向性图中出现在主瓣附近的许多小波瓣,它是声能在控制角以外的其他方向上的“泄露”,使阵列的指向性变坏。低副瓣是衡量超声相控阵性能的重要指标,要完全消除副瓣是不可能的,但我们可以通过最小化副瓣幅度来实现声能在控制方向上的最大化。严格的误差控制、测量与校准将是实现低副瓣并实用化的最后保证。因此,对影响副瓣的各个因素进行分析和对误差进行必要的补偿对实际工程有着重要的指导意义。一、副瓣相关参数分析对于线阵(声束在一个平面内进行考查),d为晶片间距,θB为声束偏向角。第i个副瓣的位置。θi=arcsin(22i N1d)λ sinθB(1)副瓣峰值与主瓣的幅度比值:ε=eε0(2)其中:ε0=1Nsin(3π2N)e=sin(παsinθλ)/(παλsi nθ)sin(παλsi nθB)/(παλsinθB)为不考虑a的影响时副瓣峰值...
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