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| 分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料 | |
| 引用本文： | 张福厚,陈江华,宋珂. 分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料[J]. 山东大学学报(工学版), 1997, 0(3) |
| 作者姓名： | 张福厚 陈江华 宋珂 |
| 作者单位： | 山东工业大学电子工程系 |
| 摘 要： | 采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． |
| 关 键 词： | 分子束外延；量子；超晶格半导体 |
ON QUANTUM WELL MATERIAL GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Molecular beam epitaxy Quantum Superlattice semiconductors |
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