| 磁控溅射PtSi／p-Si纳米薄膜组织结构的研究 |
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| 引用本文： | 殷景华 蔡伟 李美成 赵连城. 磁控溅射PtSi／p-Si纳米薄膜组织结构的研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2003, 32(9): 707-710 |
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| 作者姓名： | 殷景华 蔡伟 李美成 赵连城 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨理工大学,黑龙江,哈尔滨,150080
2. 哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，分别在350℃-600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和x射线光电子谱(XPS)分析表明，随退火温度的增加，平坦的薄膜表面变得粗糙，其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi变为Pt Pt2Si PtSi-Ptsi。
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| 关 键 词： | PtSi 薄膜 表面形貌 组织结构 |
| 文章编号： | 1002-185X(2003)09-0707-04 |
| 修稿时间： | 2002-03-01 |
Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering |
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| Yin Jinghu,Cai Wei,Li Meicheng,Zhao Liancheng. Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2003, 32(9): 707-710 |
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| Authors: | Yin Jinghu Cai Wei Li Meicheng Zhao Liancheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PtSi films surface morphology structure |
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