| SU-8光刻胶氧刻蚀的研究 |
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| 引用本文： | 段炼,朱军,陈迪,刘景全.SU-8光刻胶氧刻蚀的研究[J].压电与声光,2006,28(5):591-593. |
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| 作者姓名： | 段炼 朱军 陈迪 刘景全 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室基金资助项目(51485030105JW0801) |
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| 摘 要： | 采用氧气反应离子刻蚀(RIE)SU-8光刻胶,以获得三维SU-8微结构(如斜面)。实验采用套刻、溅射、湿法腐蚀、电镀等技术实现光刻胶上镍掩膜图形化。分别研究氧气气压、射频(RF)功率、氧气流量对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了理论分析,在此基础上可进一步优化刻蚀工艺以获得更高的刻蚀速率。
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| 关 键 词： | SU-8光刻胶 反应离子刻蚀(RIE) 氧气 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)05-0591-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-12 |
| 修稿时间： | 2005年5月12日 |
Study on Deep Reactive Ion Etching of SU-8 Photoresist |
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| DUAN Lian,ZHU Jun,CHEN Di,LIU Jing-quan.Study on Deep Reactive Ion Etching of SU-8 Photoresist[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2006,28(5):591-593. |
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| Authors: | DUAN Lian ZHU Jun CHEN Di LIU Jing-quan |
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| Affiliation: | National Key Lab. of Nano/Micro Fabrication Technology,Key Lab. for thin film and Microfabrication of Ministry of Education, Institute of Micro and Nano Science and Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SU-8 photoresist reactive Ion etching(RIE) O_2 |
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