| 碱性Cu布线抛光液速率特性及平坦化性能的研究 |
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| 引用本文： | 唐心亮,刘玉岭,王辰伟,牛新环,高宝红. 碱性Cu布线抛光液速率特性及平坦化性能的研究[J]. 功能材料, 2012, 43(20): 2804-2806 |
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| 作者姓名： | 唐心亮 刘玉岭 王辰伟 牛新环 高宝红 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学微电子研究所,天津300130 河北科技大学人事处,河北石家庄050018
2. 河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目 |
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| 摘 要： | Cu的双大马士革工艺加上化学机械平坦化(CMP)技术是目前制备Cu布线行之有效的方法。CuCMP制程中,抛光液起着至关重要的作用,针对目前国际主流酸性抛光液存在的问题和Cu及其氧化物与氢氧化物不溶于水的难题,研发了多羟多胺碱性Cu布线抛光液,研究了此抛光液随压力、转速及流量变化的特性,同时也研究了其对布线片的平坦化能力。结果表明,抛光液对Cu的去除速率随压力的增大而显著增大,随转速及流量的增加,Cu的去除速率增大缓慢,显著性依次为压力转速>流量。通过对Cu布线抛光实验表明,此抛光液能够实现多种尺寸Cu线条的平坦化。说明研发的碱性抛光液能够实现Cu布线抛光后产物可溶,且不含抑制剂等,能够实现布线片的平坦化。
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| 关 键 词： | Cu布线化学机械平坦化 碱性 速率 高低差 |
Investigation on the removal rate and planarization properties of an alkaline slurry for Cu CMP |
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| TANG Xin-liang,LIU Yu-ling,WANG Chen-wei,NIU Xin-huan,GAO Bao-hong. Investigation on the removal rate and planarization properties of an alkaline slurry for Cu CMP[J]. Journal of Functional Materials, 2012, 43(20): 2804-2806 |
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| Authors: | TANG Xin-liang LIU Yu-ling WANG Chen-wei NIU Xin-huan GAO Bao-hong |
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| Affiliation: | 1(1.Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China; 2.Hebei University of Science and Technology Department of Personnel,Shijiazhuang 050018,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper pattern wafer CMP alkaline removal rate step height |
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