| 一种用来精确测定材料价电子分布和界面点阵位移的电子衍射技术 |
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| 引用本文： | 吴力军,郑金成,朱溢眉.一种用来精确测定材料价电子分布和界面点阵位移的电子衍射技术[J].电子显微学报,2007,26(6):513-519. |
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| 作者姓名： | 吴力军 郑金成 朱溢眉 |
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| 作者单位： | Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, USA |
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| 摘 要： | 作者开发了一种新的电子衍射技术来测量大单胞复杂晶体的电荷密度.该技术是在透射电子显微镜中把电子束聚焦在样品的上方从而在很多Bragg衍射盘中得到阴影像(简称为PARODI).对于楔型晶体,该技术提供了可同时记录许多衍射的厚度条纹的方法,它确保了所有衍射盘中的厚度变化和入射方向等实验条件是相同的.PARODI技术还被进一步扩展到使用相干光源这一新领域并用来精确测定晶体中缺陷的位移矢量.本文用该技术研究了Bi-2212高温超导体中的层错和扭转晶界并观察到了由面缺陷引起的相干条纹.通过使用相干PARODI技术,测量的Bi-2212中面缺陷的位移矢量的精度达到了1皮米(10-12 m),这是目前在测量缺陷位移方面达到的最高精度,比以前的技术提高了将近一个数量级.
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| 关 键 词： | 电子显微镜 电子衍射 结构 缺陷 电荷分布 |
| 文章编号： | 1000-6281（2007）06-0513-07 |
| 收稿时间： | 2007-06-01 |
| 修稿时间： | 2007年6月1日 |
A novel electron diffraction technique to accurately measure valence electron distribution and interfacial lattice displacement |
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| WU Li-jun,ZHENG Jin-cheng,ZHU Yi-mei.A novel electron diffraction technique to accurately measure valence electron distribution and interfacial lattice displacement[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2007,26(6):513-519. |
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| Authors: | WU Li-jun ZHENG Jin-cheng ZHU Yi-mei |
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| Affiliation: | Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973,USA;Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973,USA;Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973,USA |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron microscopy electron diffraction structure defect charge distribution |
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