应用ZKG-1型自动空心阴极光源测定高纯四氯化硅(或三氯氢硅)中痕量金属杂质

本文简述了空心阴极光源灵敏度高于电弧、火花光源的基本原理。进行了气压、电流、曝光时间、电极形状等条件选择,确定了测定高纯四氯化硅中痕量杂质的工作条件;并和WPF-3火花光源进行了对比试验,结果表明灵敏度达1×10~(-9)～1×10~(-11),比用WPF-3火花光源提高了1～3倍,百分均方误差为20～50％。