| AsI_3电子结构与弹性性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 孙霄霄,李敏君,赵祥敏,陈玉强,李聪. AsI_3电子结构与弹性性质的第一性原理研究[J]. 原子与分子物理学报, 2015, 32(5): 879-884 |
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| 作者姓名： | 孙霄霄 李敏君 赵祥敏 陈玉强 李聪 |
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| 作者单位： | 牡丹江师范学院工学院,牡丹江师范学院工学院,牡丹江师范学院工学院,牡丹江师范学院工学院,牡丹江师范学院理学院 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅科学技术研究项目资助（12543080） |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究.研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好.AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征.R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2GPa,9.8GPa和23.9GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163K.能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34eV的间接带隙半导体.AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合.
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| 关 键 词： | AsI3；各向异性；第一性原理；电子性质 |
The electronic structure and elastic properties of AsI3: First-principles calculations |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AsI3 anisotropy first-principles electronic properties |
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