| 多热源工业合成SiC技术 |
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| 引用本文： | 王晓刚,李晓池,郭晓滨,刘永胜.多热源工业合成SiC技术[J].硅酸盐学报,2002,30(Z1):101-104. |
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| 作者姓名： | 王晓刚 李晓池 郭晓滨 刘永胜 |
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| 作者单位： | 西安科技学院材料工程系,西安,710054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (50174046). |
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| 摘 要： | 介绍了自行发明的多热源炉合成SiC技术的基本原理.研究了炉内温度场的叠加特点和温度梯度的变化规律.对比了单热源炉、二热源炉和三热源炉的实验室合成效果.工业应用表明三热源炉比传统单热源炉可节能10%～15%;一级品率提高30%;单炉产量可提高约50%,特级品SiC含量由传统技术的98%提高到99.5%以上.多热源工业合成SiC新技术具有节能、高质、高产和生产安全等特点, 而且极便于炉体的大型化.
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| 关 键 词： | 多热源 工业合成 碳化硅 |
| 文章编号： | 0454-5648(2002)S0-0101-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月11日 |
INDUSTRIAL SYNTHESIS OF SiC BY MULTI-HEAT SOURCES TECHNOLOGY |
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