| 氮对重掺锑直拉硅中氧沉淀的影响 |
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| 引用本文： | 余学功,张媛,马向阳,杨德仁. 氮对重掺锑直拉硅中氧沉淀的影响[J]. 半导体学报, 2004, 25(3) |
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| 作者姓名： | 余学功 张媛 马向阳 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 通过在不同条件下退火,研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃+1050℃)后,掺氮HSb-Si中与氧沉淀相关的体微缺陷的密度都要远远高于一般的HSb-Si.这说明在HSb-Si中,氮能分别在高温和低温下促进氧沉淀的生成.因此,可以认为与轻掺直拉硅一样,在HSb-Si中,氮氧复合体同样能够生成,因而促进了氧沉淀的形核.实验结果还表明氮的掺入不影响HSb硅中氧沉淀的延迟行为.
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| 关 键 词： | 直拉硅 重掺锑 氧沉淀 |
Effects of Nitrogen on Oxygen Precipitation in Heavily Sb-Doped Czochralski Silicon |
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