| 未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理 |
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| 引用本文： | 张斌,桑文斌,李万万,闵嘉华.未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理[J].半导体学报,2004,25(11). |
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| 作者姓名： | 张斌 桑文斌 李万万 闵嘉华 |
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| 作者单位： | 上海大学嘉定校区电子信息材料系,上海,201800 |
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| 摘 要： | 对于未掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片,采用在Cd/Zn气氛下,以In作为气相掺杂源进行热处理;而对于低阻In-Cd0.9Zn0.1Te晶片,则采用在Te气氛下进行热处理.分别研究了不同的热处理条件,包括温度、时间、pIn或pTe等对晶片电学性能、红外透过率以及Te夹杂/沉淀相的影响.结果表明,在Cd/Zn气氛下适当的掺In热处理和在Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率,分别达到2.3×1010和5.7×109Ω·cm,同时晶片的其他性能也得到明显改善.
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| 关 键 词： | CdZnTe 气相掺杂 热处理 Te气氛 |
Annealing of In-Diffused and In-Doped CdZnTe |
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