| 重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷 |
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| 引用本文： | 黄笑容,杨德仁,沈益军,王飞尧,马向阳,李立本,阙端麟. 重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷[J]. 半导体学报, 2004, 25(6) |
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| 作者姓名： | 黄笑容 杨德仁 沈益军 王飞尧 马向阳 李立本 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀受抑制,氧沉淀密度低却诱生出层错;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响.讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理,并利用掺杂元素-本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释.
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| 关 键 词： | 重掺杂直拉硅 氧沉淀 缺陷 |
Oxygen Precipitation and Induced Defects in Heavily Doped Czochralski Silicon |
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