| AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性 |
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| 引用本文： | 祃龙,王燕,余志平,田立林.AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性[J].半导体学报,2004,25(10). |
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| 作者姓名： | 祃龙 王燕 余志平 田立林 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在考虑AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了AlGaN/GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响.用准二维物理模型计算了AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性,给出了相应的饱和电压和阈值电压,并对计算结果和AlGaN/GaN HEMT器件的结构优化进行了分析.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 二维电子气 输出特性 |
AlGaN/GaN HEMT Device Optimization and I-V Characteristics |
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