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| 碳化硅CMOS反相器的特性 | |
| 引用本文： | 姬慧莲,杨银堂,郭中和,柴常春,李跃进. 碳化硅CMOS反相器的特性[J]. 半导体学报, 2004, 25(3) |
| 作者姓名： | 姬慧莲 杨银堂 郭中和 柴常春 李跃进 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| 摘 要： | 建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了SiC CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5μm的6H-SiC CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.657,3.156和1.470V,且随着温度的升高而减小. |
| 关 键 词： | 碳化硅 反相器 模拟 |
Properties of SiC CMOS Inverter |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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