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纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征
引用本文:索辉,向思清.纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征[J].半导体学报,2000,21(8):774-777.
作者姓名:索辉  向思清
作者单位:索辉(吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区,长春 130023);索辉(吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春 130023);向思清( 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区,长春 130023);朱玉梅( 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区,长春 130023);阮圣平( 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区,长春 130023);张彤( 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区,长春 130023)
基金项目:国家自然基金资助项目(编号为69774027)[Project Supported by National Natural Science Foundation of China Under Grant No.69774027].
摘    要:以Sn(OH)4水合胶体为原料,采用溶胶-凝胶方法在Si片上制备了SnO2纳米晶薄膜,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明:在600℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在10nm左右。以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性。

关 键 词:纳米晶  二氧化锡  气敏薄膜
文章编号:0253-4177(2000)08-0774-04
修稿时间:1999-04-15

Preparation and Characterization of Nanocrystalline SnO2 Thin Film
SUO Hui SUO Hui Null ,RUAN Sheng-ping ,ZHANG Tong.Preparation and Characterization of Nanocrystalline SnO2 Thin Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(8):774-777.
Authors:SUO Hui SUO Hui Null  RUAN Sheng-ping  ZHANG Tong
Affiliation:SUO Hui ; (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jiling University Region ,Department of Electronic Engineering, Jiling University, Changchun 130023, China); SUO Hui Null ,RUAN Sheng-ping ,ZHANG Tong ; (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jiling University Region ,Department of Electronic Engineering, Jiling University, Changchun 130023, China)
Abstract:
Keywords:
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