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CdZnTe晶体光致发光谱"负热淬灭"现象研究
引用本文:王涛,俞鹏飞,徐亚东,查钢强,傅莉,介万奇.CdZnTe晶体光致发光谱"负热淬灭"现象研究[J].人工晶体学报,2010,39(1):106-109.
作者姓名:王涛  俞鹏飞  徐亚东  查钢强  傅莉  介万奇
作者单位:西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金(No.50902114,50772091)
摘    要:采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的CdZnTe晶体,测试了其在10 K~150 K范围的PL谱.对760 nm和825 nm处的峰积分强度随温度变化关系进行研究发现,在30~50 K范围内,PL谱峰的强度呈现反常温度依赖现象,即随着温度的升高而减小,也就是所谓的"负热淬灭"现象,这在CdZnTe晶体中属首次观察到.进一步分析表明,随着温度的增加,其PL谱强度变化的过程包含了三个无辐射过程和一个负热淬灭过程.与没有发生"负热淬灭"现象的CdZnTe晶体对比,两者XRD图谱呈现明显差异.讨论了发生负热淬灭现象的原因以及可能路径.

关 键 词:CdZnTe  PL谱  负热淬灭  

Study on Negative Thermal Quenching of PL in CdZnTe Crystal
WANG Tao,YU Peng-fei,XU Ya-dong,ZHA Gang-qiang,FU Li,JIE Wan-qi.Study on Negative Thermal Quenching of PL in CdZnTe Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(1):106-109.
Authors:WANG Tao  YU Peng-fei  XU Ya-dong  ZHA Gang-qiang  FU Li  JIE Wan-qi
Affiliation:State Key Laboratory of Solidification Processing;Northwestern Polytechnical University;Xi'an 710072;China
Abstract:Photoluminescence (PL) spectroscopy was carried out on CdZnTe crystal grown by Modified Vertical Bridgman method,with temperature from 10 K to 150 K.Abnormal temperature dependent PL intensity were observed from 30 K to 50 K,which is the so-called "negative thermal quenching".Three non-radiative processes and one negative thermal quenching process were identified.The difference of XRD spectra between CdZnTe crystals with and without negative thermal quenching behaviors gives a possible explanation on its or...
Keywords:CdZnTe  PL spectroscopy  negative thermal quenching  
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