| 4H-SiC纳米薄膜的晶化研究 |
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| 引用本文： | 张洪涛,徐重阳,邹雪城,王长安. 4H-SiC纳米薄膜的晶化研究[J]. 微细加工技术, 2002, 0(1): 30-35 |
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| 作者姓名： | 张洪涛 徐重阳 邹雪城 王长安 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;湖北工学院电气工程与计算机科学系,武汉,430068
2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 原国家教委博士学科点基金资助项目(J9780 4 73)，湖北省教育厅重大项目 (2 0 0 0Z0 0 4 ) |
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| 摘 要： | 采用新电极结构的PECVD技术，在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下，在SiO2玻璃表面形成双等离子流，增加了SiO2表面SiC的成核几率，增强成核作用，形成纳米晶。采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时，由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用，产生自组织生长，发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射（EM）的测试结果表明，纳米晶SiC是4H-SiC多型结构。实验结果指出，SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核，并且其晶化存在一个功率密度阈值；当低于这一功率密度阈值时，晶化消失；当超过这一阈值时，纳米晶含量随功率密度的提高而增加，晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为10-28nm，形状为微柱体。随着晶化作用的加强，电导率增加，导电机理是渗流作用所致。
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| 关 键 词： | 4H－SiC 晶化 纳米薄膜 |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)01-0030-06 |
| 修稿时间： | 2000-08-03 |
Crystallization of Nanocrystalline Four Hexagonal Silicon Carbide Films |
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| ZHANG Hong tao ,,XU Chong yang ,ZOU Xue cheng ,WANG Chang an. Crystallization of Nanocrystalline Four Hexagonal Silicon Carbide Films[J]. Microfabrication Technology, 2002, 0(1): 30-35 |
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| Authors: | ZHANG Hong tao XU Chong yang ZOU Xue cheng WANG Chang an |
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| Affiliation: | ZHANG Hong tao 1,2,XU Chong yang 1,ZOU Xue cheng 1,WANG Chang an 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanoelectronics four hexagonal polytype silicon carbide PECVD nanostructure film self organized growth |
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