Co/Ti/Si三元固相反应形成自对准TiN/CoSi_2复合薄膜 |
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引用本文: | 刘平,李炳宗,顾志光,孙臻,黄维宁,姜国宝,卢煊.Co/Ti/Si三元固相反应形成自对准TiN/CoSi_2复合薄膜[J].半导体学报,1993,14(7):434-438. |
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作者姓名: | 刘平 李炳宗 顾志光 孙臻 黄维宁 姜国宝 卢煊 |
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摘 要: | 采用离子束溅射技术在Si片上先后连续淀积Ti膜和Co膜,对Co/Ti/Si三元体系固相反应特性进行了研究。在氮气氛下对Co/Ti/Si样品进行热处理,结果表明,样品薄层电阻及薄膜结构随热处理温度的升高发生显著变化。原来处于样品表面的Co穿过Ti膜与Si发生反应在薄膜内部形成钴硅化合物,在薄膜表面Ti与气氛中的N结合形成TiN。实验在有SiO_2图形的Si片上溅射Co/Ti,通过两步退火和选择腐蚀可在硅区域表面获得线条整齐的自对准TiN/CoSi_2复合薄膜。
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