| 4H-SiC在Cl2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 贾护军,杨银堂,柴常春,李跃进. 4H-SiC在Cl2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(6): 500-503 |
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| 作者姓名： | 贾护军 杨银堂 柴常春 李跃进 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家部委预研项目;陕西省西安一应用材料创新基金 |
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| 摘 要： | 采用C12＋Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺研究，分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、1CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响．得到的最大蚀速率为194nm/min，表面均方根粗糙度为1．237nm，Cl／Si原子浓度比约为0．97％：99．3％。
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| 关 键 词： | 碳化硅 刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）06-0500-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-30 |
| 修稿时间： | 2005-12-30 |
Inductively Coupled Plasma Etching of 4H-SiC in Cl2+Ar Mixture |
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| Jia Hujun,Yang Yintang,Chai Changchun,Li Yuejin. Inductively Coupled Plasma Etching of 4H-SiC in Cl2+Ar Mixture[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(6): 500-503 |
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| Authors: | Jia Hujun Yang Yintang Chai Changchun Li Yuejin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon carbide Etching Inductively coupled plasma Etching rate |
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