| 不同原子堆垛的WC(0001)/TiN(111)涂层界面的结合强度建模与分析 |
| |
| 引用本文： | 徐少丽,张锁怀,候逸群,祝梦洁.不同原子堆垛的WC(0001)/TiN(111)涂层界面的结合强度建模与分析[J].人工晶体学报,2020,49(10):1917-1923. |
| |
| 作者姓名： | 徐少丽 张锁怀 候逸群 祝梦洁 |
| |
| 作者单位： | 上海应用技术大学,上海 201418;上海物理气相沉积(PVD)超硬涂层及装备工程技术研究中心,上海 201418;上海应用技术大学,上海 201418 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51475311) |
| |
| 摘 要： | WC(0001)与TiN(111)涂层界面的结合强度取决于其界面性质.本文采用第一性原理讨论WC(0001)与TiN(111)界面的结合能、界面能、电子结构和成键情况.结果表明:(1)在所有考虑的终端界面之中,结合能从大到小依次为C-HCP-Ti界面(9.19 J/m2)、W-OT-Ti界面(4.28 J/m2)、W-OT-N界面(2.98 J/m2).(2)C-HCP-Ti界面存在强共价键,两者结合强度最强.W-OT-Ti界面存在共价键和部分金属键,结合强度次于C-HCP-Ti界面结合强度.对于W-OT-N,其界面结合强度为弱共价键,结合强度相对较弱.(3)在整个ΔμC范围内W-OT-Ti、W-OT-N和C-HCP-Ti三种界面的界面能为负,说明这三种界面具有超高稳定性.
|
| 关 键 词： | WC/TiN界面 第一性原理 结合能 界面能 电子结构 键合 |
Modeling and Analysis of Binding Strength of WC(0001)/TiN(111) Coating Interfaces for Different Atomic Stacks |
| |
| XU Shaoli,ZHANG Suohuai,HOU Yiqun,ZHU Mengjie.Modeling and Analysis of Binding Strength of WC(0001)/TiN(111) Coating Interfaces for Different Atomic Stacks[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(10):1917-1923. |
| |
| Authors: | XU Shaoli ZHANG Suohuai HOU Yiqun ZHU Mengjie |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
