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| μc-Si:H薄膜的激活能特性研究 | |
| 作者姓名： | 陈庆东 王俊平 马国利 张宇翔 卢景霄 |
| 作者单位： | 1. 滨州学院物理与电子科学系,山东滨州,256603 2. 郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南郑州,450052 |
| 摘 要： | 通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明:在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜,晶化处于非晶-微晶相变域附近,激活能都偏低,存在氧污染问题,研究了氧污染解决途径. |
| 关 键 词： | VHF-PECVD 微晶硅 激活能 氧污染 |
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