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单晶SiNd:YAG激光连续退火的数值计算
引用本文:傅仁武 陈朝 MarkevichMI.单晶SiNd:YAG激光连续退火的数值计算[J].发光学报,2000,21(4):320-323.
作者姓名:傅仁武  陈朝  MarkevichMI
作者单位:[1]厦门大学物理系,福建厦门361005 [2]白俄罗斯科学院电子学研究所,明斯克220841
基金项目:国家自然科学基金重大项目!(6 98870 0 2 )
摘    要:应用固相外延模型来模拟单晶Si的连续Nd:YAG激光退火过程,在低功率密度连续激光退火下,用准静态模型模拟辐照区向非辐照区的径向传导散热。在数值计算中,应用部分线性法处理非线性非齐次热传导方程,得到相应的隐格式差分方程,再用追赶法求解隐格式差分方程,得出绝热边界条件下的温度的时间和空间分布,从而得出激光退火的再结晶厚度。当激光波长λ=1.06μm、功率密度io=700W/cm^2。预热温度T0=523K时,经过0.7秒,表面温度度升到1290K左右,再结晶厚度约为0.5μm。

关 键 词:单晶硅  激光退火  固相外延  准静态模型  YAG激光器  热传导方程  隐格式差分方程  再结晶厚度  离子注入技术
修稿时间:2000-10-20
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