| 阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真 |
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| 引用本文： | 李德君,代月花,陈军宁,柯导明,胡媛.阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真[J].现代电子技术,2009,32(2). |
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| 作者姓名： | 李德君 代月花 陈军宁 柯导明 胡媛 |
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| 作者单位： | 安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金主任资助项目 |
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| 摘 要： | 为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.
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| 关 键 词： | 非易失性存储器 电阻转变特性 存储单元结构 |
Design of Nonvolatile Resisitive Random Access Memory Cell Circuits and Spice Simulation |
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| LI Dejun,DAI Yuehua,CHEN Junning,KE Daoming,HU Yuan.Design of Nonvolatile Resisitive Random Access Memory Cell Circuits and Spice Simulation[J].Modern Electronic Technique,2009,32(2). |
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| Authors: | LI Dejun DAI Yuehua CHEN Junning KE Daoming HU Yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 1T1R |
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