| CuO掺杂对 SnO2压敏材料性能的影响 |
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| 引用本文： | 明保全,王矜奉,陈洪存,苏文斌,臧国忠,高建鲁.CuO掺杂对 SnO2压敏材料性能的影响[J].功能材料与器件学报,2005,11(1):33-37. |
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| 作者姓名： | 明保全 王矜奉 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100;济南安太电子研究所,山东,济南,250010 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目 Z2003F04 |
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| 摘 要： | 研究了掺杂 CuO对 SnO2· Ni2O3· Ta2O5压敏材料电学性能的影响.实验发现,随着 CuO的 掺杂量从 0.50mol%增加到 1.50mol%,材料的压敏电场强度从 132V/mm升高到 234V/mm,相对 介电常数从 4663减小到 2701.电场强度变化的原因是 CuO掺杂引起的晶粒尺寸变化,随掺杂量 增加晶粒尺寸从 18.8μ m减小到 13.3μ m.未固溶于 SnO2晶格而偏析在晶界上的 CuO阻碍了相 邻 SnO2晶粒的融合 ,这导致了晶粒尺寸的减小.为了解释 SnO2· Ni2O3· Ta2O5· CuO电学非线性 性质的起源,本研究对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正.对该压敏材料进行了等效电路分析, 实验测量与等效电路分析结果相符.
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| 关 键 词： | 压敏材料 SnO2 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型 |
| 文章编号： | 1007-4252(2005)01-0033-05 |
| 修稿时间： | 2004年5月11日 |
Effect of doping CuO on the electrical properties of (Ni, Ta)- doped SnO2 varistors material |
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| MING Bao-quan,WANG Jin-feng,CHEN Hong-cun,SU Wen-bin,ZANG Guo-zhong,GAO Jian-lu.Effect of doping CuO on the electrical properties of (Ni, Ta)- doped SnO2 varistors material[J].Journal of Functional Materials and Devices,2005,11(1):33-37. |
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| Authors: | MING Bao-quan WANG Jin-feng CHEN Hong-cun SU Wen-bin ZANG Guo-zhong GAO Jian-lu |
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| Affiliation: | MING Bao-quan1,WANG Jin-feng1,CHEN Hong-cun1,SU Wen-bin1,ZANG Guo-zhong1,GAO Jian-lu2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | varistor material SnO_2 electrical properties grain size defect barrier model |
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