| HCl/HF/CrO3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备 |
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| 引用本文： | 黄辉,王兴妍,任晓敏,王琦,黄永清,高俊华,马晓宇. HCl/HF/CrO3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备[J]. 半导体学报, 2005, 26(7): 1469-1474 |
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| 作者姓名： | 黄辉 王兴妍 任晓敏 王琦 黄永清 高俊华 马晓宇 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学 北京100876(黄辉，王兴妍，任晓敏，王琦，黄永清)，中国科学院半导体研究所 北京100083(高俊华)，中国科学院半导体研究所 北京100083(马晓宇) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用动态掩膜湿法腐蚀技术，研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1－xAs1－yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性．对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液，随着x由0增加到1.25，相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由42.4降到1.4；通过调节腐蚀液的选择性，在In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构；当x为0.025和1.25时，相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm．还研究了溶液的组分与InxGa1－xAs1－yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系，并对腐蚀机理进行了分析．
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| 关 键 词： | 动态掩膜湿法腐蚀；选择性腐蚀；化学湿法腐蚀；楔形结构；InGaAsP |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）07-1469-06 |
| 收稿时间： | 2004-09-13 |
| 修稿时间： | 2005-02-22 |
Selective Wet Etching of InGaAs/InGaAsP in HCl/HF/CrO3 Solutions:Application to Vertical Taper Structures |
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| Huang Hui,Wang Xingyan,REN Xiaomin,Wang Qi,Huang Yongqing,Gao Junhua,Ma Xiaoyu. Selective Wet Etching of InGaAs/InGaAsP in HCl/HF/CrO3 Solutions:Application to Vertical Taper Structures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7): 1469-1474 |
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| Authors: | Huang Hui Wang Xingyan REN Xiaomin Wang Qi Huang Yongqing Gao Junhua Ma Xiaoyu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dynamic etch mask selective etching wet chemical etching vertical taper structures InGaAsP |
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