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| N面GaN材料及器件的研究进展 | |
| 引用本文： | 姚艳丽,张进成.N面GaN材料及器件的研究进展[J].微电子学,2013,43(4). |
| 作者姓名： | 姚艳丽 张进成 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071 |
| 摘 要： | N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容.对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分析.在此基础上,论述了N面GaN材料及器件未来的发展趋势. |
| 关 键 词： | N面GaN 宽禁带半导体 微波功率器件 光电器件 探测器 |
Progress in the Development of N-Polar GaN Material and Device |
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| YAO Yanli,ZHANG Jincheng.Progress in the Development of N-Polar GaN Material and Device[J].Microelectronics,2013,43(4). | |
| Authors: | YAO Yanli ZHANG Jincheng |
| Abstract: | |
| Keywords: | N-polar GaN Wide bandgap semiconductor Microwave power device Optoelectronic device Detector |
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