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超高速相位量化ADC的表征与测试
引用本文:张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬. 超高速相位量化ADC的表征与测试[J]. 微电子学与计算机, 2005, 22(2): 22-24,28
作者姓名:张有涛  夏冠群  李拂晓  高建峰  杨乃彬
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;南京电子器件研究所,南京,210016
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
3. 南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:文章详细分析并讨论了应用于相位体制DRFM的ADC参数表征及测试方法。提出用相位非线性(PDNL和PINL)来描述相位体制ADC的静态性能,用瞬时工作带宽(IBW)及相位精度随频率的变化来描述相位ADC的频域性能。采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准3"GaAsMESFET全离子注入工艺流片得到的3bit相位体制ADC进行了性能表征及测试,结果表明其静态PDNL≤0.01LSB,PDNL≤±0.007LSB;电路可在2GHz时钟下完成采样、量化,达到2Gbps的转换速率,其瞬时带宽可达250MHz,带内相位精度小于±0.45LSB。

关 键 词:相位体制模数转换器 表征 数字射频存储器 GaAs MESFET
文章编号:1000-7180(2005)02-022-03

Characterization and Test of High-Speed Phase Digitizing ADC
ZHANG You-tao,XIA Guan-qun,LI Fu-xiao,GAO Jian-feng,YANG Nai-bin. Characterization and Test of High-Speed Phase Digitizing ADC[J]. Microelectronics & Computer, 2005, 22(2): 22-24,28
Authors:ZHANG You-tao  XIA Guan-qun  LI Fu-xiao  GAO Jian-feng  YANG Nai-bin
Affiliation:ZHANG You-tao1,2,XIA Guan-qun1,LI Fu-xiao2,GAO Jian-feng2,YANG Nai-bin2
Abstract:
Keywords:Phase digitizing ADC   Characterization   DRFM   GaAs MESFET
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