| CdTe量子点荧光猝灭法测定痕量铬(Ⅲ) |
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| 引用本文： | 徐基贵,张俊俊,陈志兵,陈玉,张莉.CdTe量子点荧光猝灭法测定痕量铬(Ⅲ)[J].分析试验室,2011,30(1). |
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| 作者姓名： | 徐基贵 张俊俊 陈志兵 陈玉 张莉 |
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| 作者单位： | 徐基贵,陈志兵,张莉,XU Ji-gui,CHEN Zhi-bing,ZHANG Li(自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室培育基地,宿州,234000;宿州学院化学与生命科学学院,宿州,234000);张俊俊,陈玉,ZHANG Jun-jun,CHEN Yu(宿州学院化学与生命科学学院,宿州,234000) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，安徽省教育厅重大项目，安徽省教育厅优秀青年人才基金重点项目，宿州学院科研平台开放课题 |
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| 摘 要： | 以CdTe量子点作为荧光探针,基于荧光猝灭法对Cr(Ⅲ)进行了定量检测,考察了缓冲溶液、量子点浓度、反应时间等多种因素的影响.实验结果表明,在0.1mL pH 7.3的0.2 mol/L Na<,2>HPO<,4>-NaH<,2>PO<,4>缓冲液中,反应时间为20 min,Cr(Ⅲ)浓度为2.4×10<'-7>～6.0×10<'-6>mol/L范围时,其线性回归方程为F<,0>/F=1.1274+0.0640 c(10<'-7>mol/L),相关系数和检测限分别为0.9984和4.5×10<'-8>mol/L.为Cr(Ⅲ)的测定提供了新的方法.
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| 关 键 词： | CdTe量子点 Cr(Ⅲ) 荧光猝灭 |
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