| 一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法 |
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| 引用本文： | 康晓辉,李志刚,刘明,谢常青,陈宝钦. 一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法[J]. 半导体学报, 2005, 26(3) |
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| 作者姓名： | 康晓辉 李志刚 刘明 谢常青 陈宝钦 |
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| 摘 要： | 在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.
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| 关 键 词： | 电子束光刻 临近效应 电子束临近效应校正 electron-beam lithography proximity effect electron-beam proximity correction 提取 电子束光刻 散射参数 方法 Lithography Parameters Proximity Effect acquired method correction conditions single line used test pattern determine proximity effect normalization approach experimental |
A New Method to Retrieve Proximity Effect Parameters in lectron-Beam Lithography |
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| Kang Xiaohui,Li Zhigang,Liu Ming,Xie Changqing,Chen Baoqin. A New Method to Retrieve Proximity Effect Parameters in lectron-Beam Lithography[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3) |
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| Authors: | Kang Xiaohui Li Zhigang Liu Ming Xie Changqing Chen Baoqin |
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