| 深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究 |
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| 引用本文： | 颜志英.深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究[J].微电子学,2003,33(5):377-379. |
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| 作者姓名： | 颜志英 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学,信息学院,浙江,杭州,310032 |
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| 基金项目： | 浙江省教育厅科研计划项目 |
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| 摘 要： | 研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。
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| 关 键 词： | 深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应 器件退化 热截流子效应 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)05-0377-03 |
| 修稿时间： | 2002年11月20 |
An Investigation into Hot-Carrier Effects in Deep Submicron SOI NMOSFET's |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Submicron device SOI MOSFET Hot-carrier effect Device degradation |
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