| 变温磷吸杂对多晶硅性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈金学,席珍强,吴冬冬,杨德仁. 变温磷吸杂对多晶硅性能的影响[J]. 太阳能学报, 2007, 28(2): 160-164 |
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| 作者姓名： | 陈金学 席珍强 吴冬冬 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h 700℃/1.5h;而在高温恒温吸杂中,多晶硅少子寿命值反而显著下降。实验现象表明:磷吸杂效果主要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关。
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| 关 键 词： | 多晶硅 磷吸杂 少子寿命 |
| 文章编号： | 0254-0096（2007）02-0160-05 |
| 修稿时间： | 2004-04-20 |
EFFECT OF VARIABLE TEMPERATURE PHOSPHOROUS GETTERING TREATMENTS ON THE PERFORMANCE OF MULTICRYSTALLINE SILICON |
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| Chen Jinxue,Xi Zhenqiang,Wu Dongdong,Yang Deren. EFFECT OF VARIABLE TEMPERATURE PHOSPHOROUS GETTERING TREATMENTS ON THE PERFORMANCE OF MULTICRYSTALLINE SILICON[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2007, 28(2): 160-164 |
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| Authors: | Chen Jinxue Xi Zhenqiang Wu Dongdong Yang Deren |
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| Affiliation: | state Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cast multicrystalline silicon phosphorus gettering minority carrier lifetime |
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