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增强型 MOS变容管LC VCO增益建模
引用本文:王飞,来金梅,张海清,孙承绶,章倩苓.增强型 MOS变容管LC VCO增益建模[J].计算机辅助设计与图形学学报,2005,17(8):1813-1817.
作者姓名:王飞  来金梅  张海清  孙承绶  章倩苓
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433
基金项目:国家创新基金小额资助(03C26213100534)
摘    要:研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LC VCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered 0.35μm CMOS 2P4M RF工艺实现的2.4GHz LC VCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.

关 键 词:LC  VCO  增强型变容管  大信号分析  VCO增益
收稿时间:2004-03-22
修稿时间:2004-03-22

Gain Modelling for A-MOS Varactor in CMOS LC VCOs
Wang Fei,LAI Jinmei,Zhang Haiqing,Sun Chengshou,ZHANG QianLing.Gain Modelling for A-MOS Varactor in CMOS LC VCOs[J].Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics,2005,17(8):1813-1817.
Authors:Wang Fei  LAI Jinmei  Zhang Haiqing  Sun Chengshou  ZHANG QianLing
Abstract:
Keywords:LC VCO  A-MOS  large-signal analysis  VCO gain
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