首页
|
官方网站
微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究
作者姓名:
窦红飞
陈效双
陆卫
李志锋
沈学础
作者单位:
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
摘 要:
研究了单层Si分别δ-掺杂于In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱,并与未掺杂样品相比较,发现掺杂样品的发光峰红移,其中单边势垒掺杂样品红移约4meV,双边势垒掺杂样品红移的量更多约12meV.本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多.用有效质量方法计算3个样品的光致发光能量,并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象.
关 键 词:
硅 掺杂 单量子阱 光致发光
本文献已被
CNKI
维普
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号-23
京公网安备 11010802026262号