用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化 |
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引用本文: | 廖友贵,金鹏,李乙钢,张存洲,潘士宏,梁基本.用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化[J].半导体学报,1999,20(11):1004-1009. |
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作者姓名: | 廖友贵 金鹏 李乙钢 张存洲 潘士宏 梁基本 |
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作者单位: | [1]南开大学物理系 [2]中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs表面的方法.本文使用Na2S、S2Cl2和CH3CSNH2三种化学试剂对表面本征层重掺杂层(sin+)结构的GaAs样品进行了钝化,利用光调制反射谱观察到许多个FranzKeldysh振荡,测量出本征层的电场强度,研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果.
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关 键 词: | 砷化镓 硫钝化 F-K效应 半导体表面 |
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