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| 浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应 | |
| 作者姓名： | 朱洪亮 韩德俊 胡雄伟 汪孝杰 王圩 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]北京师范大学低能核物理所 |
| 摘 要： | 利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ，在较低的诱导因素作用下即可产生较大的量子阱混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）效应 |
| 关 键 词： | 混合蓝移效应 SL－MQW 激光器 浅离子注入 |
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