| 碲镉汞APD焦平面技术研究 |
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| 引用本文： | 李雄军,张应旭,陈虓,李立华,赵鹏,杨振宇,杨东,姜炜波,杨鹏伟,孔金丞,赵俊,姬荣斌. 碲镉汞APD焦平面技术研究[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(6): 965-971 |
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| 作者姓名： | 李雄军 张应旭 陈虓 李立华 赵鹏 杨振宇 杨东 姜炜波 杨鹏伟 孔金丞 赵俊 姬荣斌 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,华中科技大学，湖北 武汉 430074,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223 |
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| 基金项目： | 云南省科技人才与平台计划项目（202105AD160047） |
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| 摘 要： | 采用LPE生长的中波碲镉汞材料，通过B离子注入n-on-p平面结技术制备了规模为256×256，像元中心距为30 μm的碲镉汞APD焦平面探测器芯片。在液氮温度下对其增益、暗电流以及过噪因子等性能参数进行了测试分析，结果表明，所制备的碲镉汞APD焦平面芯片在-8.5 V反偏下平均增益达到166.8，增益非均匀性为3.33%；在0~-8.5 V反向偏置下，APD器件增益归一化暗电流为9.0×10-14~ 1.6×10-13 A，过噪因子F介于1.0~1.5之间。此外，还对碲镉汞APD焦平面进行了成像演示，并获得了较好的成像效果。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 APD 增益 暗电流 过噪因子 |
| 收稿时间： | 2022-03-01 |
| 修稿时间： | 2022-11-16 |
Study on HgCdTe APD focal plane technology |
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| LI Xiong-Jun,ZHANG Ying-Xu,CHEN Xiao,LI Li-Hu,ZHAO Peng,YANG Zhen-Yu,YANG Dong,JIANG Wei-bo,YANG Peng-wei,KONG Jin-Cheng,ZHAO Jun and JI Rong-Bin. Study on HgCdTe APD focal plane technology[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(6): 965-971 |
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| Authors: | LI Xiong-Jun ZHANG Ying-Xu CHEN Xiao LI Li-Hu ZHAO Peng YANG Zhen-Yu YANG Dong JIANG Wei-bo YANG Peng-wei KONG Jin-Cheng ZHAO Jun JI Rong-Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe APD gain dark current the noise factor |
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